1、截止区。其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置，对于共射电路，Ube≤Uon且Uce>Bbe,此时，Ib=0，Ic≈0；

2、饱和区。其特征是发射结电压大于开启电压且集电结正向偏置，对于共射电路，Ube>Uon且Uce<Bbe,此时，随着Ib的增大，Ic增大不多或基本不变；

3、放大区。其特征是发射结电压大于开启电压且集电结反向偏置，对于共射电路，Ube>Uon且Uce≥Ube,此时，Ic=βIb。

二、应用说明

RAD12-2009S实际应用时，晶体管常作开关使用，放大电路使用集成电路。

此时，晶体管工作在截止区与饱和区。

截止区，Ic≈0，此时，P=Ic*Uce很小；

饱和区，Uce深度饱和电压很小，P=Ic*Uce相对也很小。

三、项目实战

BJT晶体管是流控型器件，小电流控制大电流，与MOS管不同的是，晶体管的驱动电流Ib很小，对驱动源的要求很低，通常，单片机的IO口可以直接驱动。

RAD12-2009S BJT晶体管工作在饱和区时，尽管Uce很小，如果Ic很大，发热还是蛮大，所以，常用作小功率器件驱动与大功率MOS管的前级驱动。