ABB LDGRB-01 3BSE013177R1 机器人系统
2022年4月22日BENTLY 3500/40M 176449-01 位移检测器
2022年4月24日
on
ABB 5SHY3545L0010 3BHB013088R0001 IGCT模块
由于晶闸管类器件存在不能自关断，关断时间过长，工作频率低等缺点，因而使其应用大受限制。人们一直在寻求一种功率半导体器件，使之能在正向导通时稳定地通过大电流，在关断时，瞬间抽取这股大电流，在高阻断电压状态下长时间工作，在状态转换时具有极高的开关速度，以及使动、静态损耗尽可能低。为此，相继开发了诸如绝缘栅双极型晶体管(GBT)、金属-氧化物_半导体场效应晶体管MOSFET)、门极可关断晶闸管 GTO)集成门极换流型晶闸管IGCT)等的电力半导体器件。目前，国内已经能够生产IGCT器件，为检验该产品的性能，并获得相关的重要参数，需研制能测试IGCT高压的试验平台，设计一套能产生上千伏高压的电源系统。为了能使高压电源的应用范围更广，且便于灵活扩展更高的电压等级，该高压电源采用了模块化。
IGCT是将门极驱动电路与门极换流晶闸管 GCT集成于一体的器件。由ABB公司在IGBT和 GTO成熟技术的基础上开发完成的。它采用硬驱动技术，在整体结构上集成了门极驱动电路和反并联二极管,省去了吸收电路,且易于串联应用。